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重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

2020-11-18 11:14    点赞数:       阅读量:1   

据重庆日报报道,目前,重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露,“目前,实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片,这也是重庆市功率半导体、汽车电子产业发展的新兴方向。”据悉,第三代半导体功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面,具备体积小、效率高、用电量少等特点。

重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片0

“这款功率半导体芯片电量能节省10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提升10倍以上。”黄义透露,目前该项目已经到了试验性应用阶段,未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

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